Semiconductor device and boost circuit

发明申请

US20060214228A1 Semiconductor device and boost circuit 失效

标题翻译：半导体器件和升压电路

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专利标题： Semiconductor device and boost circuit
专利标题（中）： 半导体器件和升压电路
申请号： US11373915

申请日： 2006-03-14
公开(公告)号： US20060214228A1

公开(公告)日： 2006-09-28
发明人: Yoshiharu Ajiki
申请人： Yoshiharu Ajiki
申请人地址： JP TOKYO
专利权人： SEIKO EPSON CORPORATION
当前专利权人： SEIKO EPSON CORPORATION
当前专利权人地址： JP TOKYO
优先权： JP2005-083391 20050323
主分类号： H01L27/12
IPC分类号： H01L27/12

摘要：

A semiconductor device includes a transistor that is used for a charge pump circuit, being configured with a fully depleted silicon-on-insulator transistor.

摘要（中）：

半导体器件包括用于电荷泵电路的晶体管，其配置有完全耗尽的绝缘体上硅晶体管。

公开/授权文献

US07382022B2 Semiconductor device and boost circuit 公开/授权日：2008-06-03

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/12	..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的