发明申请
- 专利标题： AlGaN substrate and production method thereof
- 专利标题（中）： AlGaN衬底及其制造方法
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申请号： US11390316申请日： 2006-03-28
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公开(公告)号： US20060225643A1公开(公告)日： 2006-10-12
- 发明人: Hiroshi Amano , Akira Bando
- 申请人： Hiroshi Amano , Akira Bando
- 专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 优先权： JP2005-092079 20050328
- 主分类号： C30B23/00
- IPC分类号： C30B23/00 ; C30B25/00 ; C30B28/12 ; C30B28/14
摘要：
A substrate is formed of AlxGa1-xN, wherein 0
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