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发明申请
US20060246656A1 Manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar electrically connected with a substrate on a single side via a buried contact for use in a semiconductor memory cell 有权
具有隔离环的沟槽电容器的制造方法，所述隔离环经由用于半导体存储单元的埋入触点在单侧上与衬底电连接

  • 专利标题： Manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar electrically connected with a substrate on a single side via a buried contact for use in a semiconductor memory cell
  • 专利标题（中）： 具有隔离环的沟槽电容器的制造方法，所述隔离环经由用于半导体存储单元的埋入触点在单侧上与衬底电连接
  • 申请号： US11115391
    申请日： 2005-04-27
  • 公开(公告)号： US20060246656A1
    公开(公告)日： 2006-11-02
  • 发明人: Stephan Kudelka , Guenther Aichmayr
  • 申请人： Stephan Kudelka , Guenther Aichmayr
  • 申请人地址： DE Munchen
  • 专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人： Infineon Technologies AG
  • 当前专利权人地址： DE Munchen
  • 主分类号： H01L21/8242
  • IPC分类号： H01L21/8242
Manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar electrically connected with a substrate on a single side via a buried contact for use in a semiconductor memory cell
摘要：
The present invention relates to a manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar which is electrically connected with a substrate on a single side via a buried contact, particularly for use in a semiconductor memory cell. More specifically, the present invention relates to a manufacturing method for a trench capacitor having an isolation collar with a metal conductive fill in the collar region connected to a metal fill in the capacitor region.
摘要（中）：

本发明涉及一种具有隔离环的沟槽式电容器的制造方法，隔离环经由埋入式触点在单侧与衬底电连接，特别用于半导体存储单元。 更具体地说，本发明涉及一种用于沟槽电容器的制造方法，该沟槽电容器具有隔离套环，该隔离套环在与电容器区域中的金属填充物连接的套环区域中具有金属导电填料。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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