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发明申请
US20070007243A1 Ion beam etching method and ion beam etching apparatus 审中-公开
离子束蚀刻方法和离子束蚀刻装置

  • 专利标题： Ion beam etching method and ion beam etching apparatus
  • 专利标题（中）： 离子束蚀刻方法和离子束蚀刻装置
  • 申请号： US11475029
    申请日： 2006-06-27
  • 公开(公告)号： US20070007243A1
    公开(公告)日： 2007-01-11
  • 发明人: Akihiro Horita , Naoki Kubota
  • 申请人： Akihiro Horita , Naoki Kubota
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： TDK CORPORATION
  • 当前专利权人： TDK CORPORATION
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JPP2005-201959 20050711
  • 主分类号： C23F1/00
  • IPC分类号： C23F1/00
Ion beam etching method and ion beam etching apparatus
摘要：
An ion beam etching method comprises an etching step of etching an object to be processed with an ion beam extracted by an extraction electrode, and a cooling step of cooling the extraction electrode with an inert gas.
摘要（中）：

离子束蚀刻方法包括用由提取电极提取的离子束蚀刻待处理对象的蚀刻步骤，以及用惰性气体冷却提取电极的冷却步骤。

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