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发明申请
US20070020900A1 Highly doped gate electrode made by rapidly melting and resolidifying the gate electrode 有权
通过快速熔化和重新固化栅电极制成的高掺杂栅电极

  • 专利标题： Highly doped gate electrode made by rapidly melting and resolidifying the gate electrode
  • 专利标题（中）： 通过快速熔化和重新固化栅电极制成的高掺杂栅电极
  • 申请号： US11175682
    申请日： 2005-07-06
  • 公开(公告)号： US20070020900A1
    公开(公告)日： 2007-01-25
  • 发明人: Amitabh Jain
  • 申请人： Amitabh Jain
  • 申请人地址： US TX Dallas
  • 专利权人： Texas Instruments Incorporated
  • 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
  • 当前专利权人地址： US TX Dallas
  • 主分类号： H01L21/3205
  • IPC分类号： H01L21/3205
Highly doped gate electrode made by rapidly melting and resolidifying the gate electrode
摘要：
The present invention provides, in one embodiment, a method for fabricating a microelectronic device. The method comprises implanting a dopant into a gate electrode located on a substrate. The gate electrode has a melting point below a melting point of the substrate. The method also comprises melting the gate electrode to allow the dopant to diffuse throughout the gate electrode. The method further comprises re-solidifying the gate electrode to increase dopant-occupied substitutional sites within the gate electrode.
摘要（中）：

在一个实施例中，本发明提供了一种用于制造微电子器件的方法。 该方法包括将掺杂剂注入到位于衬底上的栅电极中。 栅电极的熔点低于基板的熔点。 该方法还包括熔化栅电极以允许掺杂剂在整个栅电极中扩散。 该方法还包括重新固化栅电极以增加栅电极内的掺杂剂占据的取代位置。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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