METHOD OF FORMING A NICKEL PLATINUM SILICIDE

发明申请

US20070020925A1 METHOD OF FORMING A NICKEL PLATINUM SILICIDE 审中-公开

标题翻译：形成镍硅酸钠的方法

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专利标题： METHOD OF FORMING A NICKEL PLATINUM SILICIDE
专利标题（中）： 形成镍硅酸钠的方法
申请号： US11161075

申请日： 2005-07-22
公开(公告)号： US20070020925A1

公开(公告)日： 2007-01-25
发明人: Chao-Ching Hsieh , Yi-Yiing Chiang , Tzung-Yu Hung , Yi-Wei Chen , Yu-Lan Chang
申请人： Chao-Ching Hsieh , Yi-Yiing Chiang , Tzung-Yu Hung , Yi-Wei Chen , Yu-Lan Chang
主分类号： H01L21/44
IPC分类号： H01L21/44

METHOD OF FORMING A NICKEL PLATINUM SILICIDE

摘要：

A substrate having at least one silicon device is provided. A nickel platinum alloy layer is formed on the substrate. A rapid thermal process is performed to react the nickel platinum alloy layer with the silicon device to produce a nickel platinum silicide. A passivation layer is formed on the nickel platinum silicide followed by using a solution consisting of nitric acid and hydrochloric acid to remove unreacted portions of the nickel platinum alloy layer.

摘要（中）：

提供具有至少一个硅器件的衬底。在该基板上形成镍铂合金层。执行快速热处理以使镍铂合金层与硅器件反应以产生镍铂硅化物。在镍铂硅化物上形成钝化层，然后使用由硝酸和盐酸组成的溶液来除去镍铂合金层的未反应部分。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的