Electronic device comprising an organic semiconductor, an organic semiconductor, and an intermediate buffer layer made of a polymer that is cationically polymerizable and contains no photoacid

发明申请

US20070034862A1 Electronic device comprising an organic semiconductor, an organic semiconductor, and an intermediate buffer layer made of a polymer that is cationically polymerizable and contains no photoacid 审中-公开

标题翻译：包含有机半导体，有机半导体和由阳离子聚合并且不含光酸的聚合物制成的中间缓冲层的电子器件

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专利标题： Electronic device comprising an organic semiconductor, an organic semiconductor, and an intermediate buffer layer made of a polymer that is cationically polymerizable and contains no photoacid
专利标题（中）： 包含有机半导体，有机半导体和由阳离子聚合并且不含光酸的聚合物制成的中间缓冲层的电子器件
申请号： US10570640

申请日： 2004-09-04
公开(公告)号： US20070034862A1

公开(公告)日： 2007-02-15
发明人: Amir Parham , Aurelie Falcou , Susanne Heun , Jurgen Steiger
申请人： Amir Parham , Aurelie Falcou , Susanne Heun , Jurgen Steiger
申请人地址： DE FRANKFURT AM MAIN
专利权人： COVION ORGANIC SEMICONDUCTORS GMBH
当前专利权人： COVION ORGANIC SEMICONDUCTORS GMBH
当前专利权人地址： DE FRANKFURT AM MAIN
优先权： DE10340711.1 20030904
国际申请： PCT/EP04/09902 WO 20040904
主分类号： H01L29/08
IPC分类号： H01L29/08

Electronic device comprising an organic semiconductor, an organic semiconductor, and an intermediate buffer layer made of a polymer that is cationically polymerizable and contains no photoacid

摘要：

The present invention describes a novel design principle for organic electronic elements by inserting at least one additional crosslinkable layer. The properties of the electronic devices are thereby improved. Structured construction of these devices is furthermore facilitated.

摘要（中）：

本发明通过插入至少一个额外的可交联层来描述有机电子元件的新颖设计原理。从而提高了电子设备的性能。进一步促进了这些装置的结构化构造。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/08	...具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的