发明申请
- 专利标题： Metal duplex method
- 专利标题（中）： 金属双工方法
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申请号： US11511155申请日： 2006-08-28
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公开(公告)号： US20070054138A1公开(公告)日： 2007-03-08
- 发明人: Danny Lau , Raymund W. M. Kwok
- 申请人： Danny Lau , Raymund W. M. Kwok
- 申请人地址： US MA Marlborough
- 专利权人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人地址： US MA Marlborough
- 主分类号： B32B3/00
- IPC分类号： B32B3/00 ; B32B15/04
摘要：
Methods and articles are disclosed. The methods are directed to depositing nickel duplex layers on substrates to inhibit tin and tin alloy surface oxidation and improve solderability of the substrates.
公开/授权文献
- US07615255B2 Metal duplex method 公开/授权日：2009-11-10
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