发明申请
- 专利标题： METHOD OF PLASMA ETCHING OF HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS
- 专利标题（中）： 高K电介质材料等离子体蚀刻方法
-
申请号： US11464276申请日： 2006-08-14
-
公开(公告)号： US20070077767A1公开(公告)日： 2007-04-05
- 发明人: Guangxiang Jin , Padmapani Nallan , Ajay Kumar
- 申请人： Guangxiang Jin , Padmapani Nallan , Ajay Kumar
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 主分类号： C23F1/00
- IPC分类号： C23F1/00 ; H01L21/302 ; C03C15/00
摘要：
A method of etching high dielectric constant materials using a halogen gas, a reducing gas and an etch rate control gas chemistry.
公开/授权文献
- US07838434B2 Method of plasma etching of high-K dielectric materials 公开/授权日：2010-11-23
信息查询
