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    Method of etching metals with high selectivity to hafnium-based dielectric materials
    3.
    发明申请
    Method of etching metals with high selectivity to hafnium-based dielectric materials 审中-公开
    以铪基电介质材料高选择性蚀刻金属的方法

    公开(公告)号：US20060060565A9

    公开(公告)日：2006-03-23

    申请号：US10418994

    申请日：2003-04-17

    申请人： Padmapani Nallan ,  Ajay Kumar ,  Guangxiang Jin

    发明人： Padmapani Nallan ,  Ajay Kumar ,  Guangxiang Jin

    IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32137

    摘要： A method of plasma etching a metal layer (e.g., titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), and the like) or a metal-containing layer (e.g., tantalum silicon nitride (TaSiN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (WN), and the like) formed on a hafnium-based dielectric material is disclosed. The metal/metal-containing layer is etched using a gas mixture comprising a halogen-containing gas and a fluorine-containing gas. The fluorine within the gas mixture provides a high etch selectivity for the hafnium-based dielectric material.

    摘要翻译： 金属层（例如钛（Ti），钽（Ta），钨（W）等）等等离子体蚀刻或金属含有层（例如，钽氮化硅（TaSiN），氮化钛 ），氮化钨（WN）等）形成在铪基电介质材料上。 使用包含含卤素气体和含氟气体的气体混合物来蚀刻含金属/含金属层。 气体混合物中的氟提供了对铪基电介质材料的高蚀刻选择性。

    Hydrogen-free method of plasma etching indium tin oxide
    5.
    发明授权
    Hydrogen-free method of plasma etching indium tin oxide 失效
    无氢等离子体蚀刻氧化铟锡的方法

    公开(公告)号：US06368978B1

    公开(公告)日：2002-04-09

    申请号：US09262785

    申请日：1999-03-04

    申请人： Ajay Kumar ,  Padmapani Nallan ,  Jeffrey D. Chinn

    发明人： Ajay Kumar ,  Padmapani Nallan ,  Jeffrey D. Chinn

    IPC分类号： B01J1500

    CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

    摘要： The present invention is a method for hydrogen-free plasma etching of indium tin oxide using a plasma generated from an etchant gas containing chlorine as a major constituent (i.e., chlorine comprises at least 20 atomic %, preferably at least 50 atomic %, of the etchant gas). Etching is performed at a substrate temperature of 100° C. or lower. The chlorine-comprising gas is preferably Cl2. The etchant gas may further comprise a non-reactive gas, which is used to provide ion bombardment of the surface being etched, and which is preferably argon. The present invention provides a clean, fast method for plasma etching indium tin oxide. The method of the invention is particularly useful for etching a semiconductor device film stack which includes at least one layer of a material that would be adversely affected by exposure to hydrogen, such as N- or P-doped silicon.

    摘要翻译： 本发明是使用由含有氯作为主要成分的蚀刻剂气体产生的等离子体对氧化铟锡进行无氢等离子体蚀刻的方法（即氯包含至少20原子％，优选至少50原子％ 蚀刻剂气体）。 在100℃以下的基板温度下进行蚀刻。 含氯气体优选为Cl 2。 蚀刻剂气体可以进一步包括非反应性气体，其用于提供被蚀刻的表面的离子轰击，并且其优选为氩。 本发明提供了一种清洁，快速的等离子体蚀刻氧化铟锡的方法。 本发明的方法特别适用于蚀刻半导体器件膜堆叠，其包括至少一层将受到暴露于氢的不利影响的材料，例如N或P掺杂的硅。

    Techniques for plasma etching silicon-germanium
    7.
    发明授权
    Techniques for plasma etching silicon-germanium 失效
    等离子体蚀刻硅锗的技术

    公开(公告)号：US06642151B2

    公开(公告)日：2003-11-04

    申请号：US10093050

    申请日：2002-03-06

    申请人： Anisul Khan ,  Ajay Kumar ,  Padmapani Nallan

    发明人： Anisul Khan ,  Ajay Kumar ,  Padmapani Nallan

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  G02B6/136

    摘要： The present invention provides novel etching techniques for etching Si—Ge, employing SF6/fluorocarbon etch chemistries at a low bias power. These plasma conditions are highly selective to organic photoresist. The techniques of the present invention are suitable for fabricating optically smooth Si—Ge surfaces. A cavity was etched in a layer of a first Si—Ge composition using SF6/C4F8 etch chemistry at low bias power. The cavity was then filled with a second Si—Ge composition having a higher refractive index than the first Si—Ge composition. A waveguide was subsequently fabricated by depositing a cladding layer on the second Si—Ge composition that was formed in the cavity. In a further embodiment a cluster tool is employed for executing processing steps of the present invention inside the vacuum environment of the cluster tool. In an additional embodiment a manufacturing system is provided for fabricating waveguides of the present invention. The manufacturing system includes a controller that is adapted for interacting with a plurality of fabricating stations.

    摘要翻译： 本发明提供了用于蚀刻Si-Ge的新颖蚀刻技术，其采用SF6 /氟碳蚀刻化学品，以低偏压功率。 这些等离子体条件对有机光致抗蚀剂具有高选择性。 本发明的技术适用于制造光学平滑的Si-Ge表面。 在低偏压功率下，使用SF6 / C4F8蚀刻化学法在第一Si-Ge组合物的层中蚀刻空腔。 然后用具有比第一Si-Ge组合物更高的折射率的第二Si-Ge组合物填充空腔。 随后通过在形成在空腔中的第二Si-Ge组合物上沉积包覆层来制造波导。 在另一个实施例中，采用集群工具来在集群工具的真空环境内执行本发明的处理步骤。 在另外的实施例中，提供制造系统用于制造本发明的波导。 该制造系统包括适于与多个制造站相互作用的控制器。

    Method of preventing short circuits in magnetic film stacks
    9.
    发明授权
    Method of preventing short circuits in magnetic film stacks 失效
    防止磁性薄膜堆叠短路的方法

    公开(公告)号：US06893893B2

    公开(公告)日：2005-05-17

    申请号：US10235100

    申请日：2002-09-04

    申请人： Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Jeng H. Hwang ,  Guangxiang Jin ,  Ralph Kerns

    发明人： Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Jeng H. Hwang ,  Guangxiang Jin ,  Ralph Kerns

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for preventing electrical short circuits in a multi-layer magnetic film stack comprises providing a film stack that includes a layer of magnetic material having an exposed surface. A protective layer is deposited on the exposed surface of the magnetic layer. The protective layer may comprise, for example, a fluorocarbon or a hydrofluorocarbon. The film stack is etched and the protective layer protects the exposed surface from a conductive residue produced while etching the film stack. The method may be used in film stacks to form a magneto-resistive random access memory (MRAM) device.

    摘要翻译： 一种用于防止多层磁性膜堆叠中的电短路的方法包括提供包括具有暴露表面的磁性材料层的膜堆叠。 保护层沉积在磁性层的暴露表面上。 保护层可以包括例如碳氟化合物或氢氟烃。 蚀刻薄膜叠层并且保护层保护暴露的表面免受在蚀刻薄膜叠层时产生的导电残留物。 该方法可以用于膜堆叠中以形成磁阻随机存取存储器（MRAM）装置。