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发明申请
US20070267670A1 Integrated Circuit With A Trench Capacitor Structure And Method Of Manufacture 失效
具有沟槽电容器结构的集成电路和制造方法

  • 专利标题： Integrated Circuit With A Trench Capacitor Structure And Method Of Manufacture
  • 专利标题（中）： 具有沟槽电容器结构的集成电路和制造方法
  • 申请号： US11383670
    申请日： 2006-05-16
  • 公开(公告)号： US20070267670A1
    公开(公告)日： 2007-11-22
  • 发明人: Sailesh Chittipeddi , Seungmoo Choi
  • 申请人： Sailesh Chittipeddi , Seungmoo Choi
  • 主分类号： H01L29/94
  • IPC分类号： H01L29/94
Integrated Circuit With A Trench Capacitor Structure And Method Of Manufacture
摘要：
An integrated circuit device having a capacitor structure. In one form of the invention, an integrated circuit device includes a capacitor structure formed along a surface of a semiconductor layer. The capacitor structure includes a trench region formed in the semiconductor surface, a layer of dielectric material formed along a wall of the trench region and a first layer of doped polysilicon formed over the layer of dielectric material in the trench region. The capacitor structure further includes a second layer of doped polysilicon formed over the first layer of polysilicon.
摘要（中）：

一种具有电容器结构的集成电路器件。 在本发明的一种形式中，集成电路器件包括沿着半导体层的表面形成的电容器结构。 电容器结构包括形成在半导体表面中的沟槽区域，沿着沟槽区域的壁形成的电介质材料层，以及形成在沟槽区域中的电介质材料层上的第一掺杂多晶硅层。 电容器结构还包括形成在第一多晶硅层上的第二掺杂多晶硅层。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
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