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发明申请
US20070278602A1 MRAM structure using sacrificial layer for anti-ferromagnet and method of manufacture 有权
用于抗铁磁体的牺牲层的MRAM结构及其制造方法

  • 专利标题： MRAM structure using sacrificial layer for anti-ferromagnet and method of manufacture
  • 专利标题（中）： 用于抗铁磁体的牺牲层的MRAM结构及其制造方法
  • 申请号： US11448170
    申请日： 2006-06-06
  • 公开(公告)号： US20070278602A1
    公开(公告)日： 2007-12-06
  • 发明人: Wolfgang Raberg , Ulrich Klostermann
  • 申请人： Wolfgang Raberg , Ulrich Klostermann
  • 主分类号： H01L43/00
  • IPC分类号： H01L43/00
MRAM structure using sacrificial layer for anti-ferromagnet and method of manufacture
摘要：
A magnetic random access memory structure comprising an anti-ferromagnetic layer structure, a crystalline ferromagnetic structure physically coupled to the anti-ferromagnetic layer structure and a ferromagnetic free layer structure physically coupled to the crystalline ferromagnetic structure.
摘要（中）：

磁性随机存取存储器结构包括反铁磁层结构，物理耦合到反铁磁层结构的结晶铁磁结构和物理耦合到结晶铁磁结构的铁磁自由层结构。

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