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发明申请
US20070295455A1 METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING MATERIAL LAYERS WITH HIGH UNIFORMITY OF A LATERAL ETCH RATE ACROSS A SUBSTRATE 审中-公开
用于蚀刻材料层的方法和装置，其具有基于基板的侧向蚀刻速率的高均匀性

  • 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING MATERIAL LAYERS WITH HIGH UNIFORMITY OF A LATERAL ETCH RATE ACROSS A SUBSTRATE
  • 专利标题（中）： 用于蚀刻材料层的方法和装置，其具有基于基板的侧向蚀刻速率的高均匀性
  • 申请号： US11831357
    申请日： 2007-07-31
  • 公开(公告)号： US20070295455A1
    公开(公告)日： 2007-12-27
  • 发明人: David Mui , Wei Liu
  • 申请人： David Mui , Wei Liu
  • 主分类号： H01L21/3065
  • IPC分类号： H01L21/3065
METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING MATERIAL LAYERS WITH HIGH UNIFORMITY OF A LATERAL ETCH RATE ACROSS A SUBSTRATE
摘要：
A method and apparatus for etching material layers with high uniformity of a lateral etch rate across a substrate using a gas mixture that includes a passivation gas. The passivation gas is provided to a peripheral region of the substrate to passivate sidewalls of the structures being etched.
摘要（中）：

一种用于使用包括钝化气体的气体混合物在衬底上蚀刻具有高均匀度横向蚀刻速率的材料层的方法和装置。 钝化气体被提供到衬底的周边区域以钝化被蚀刻的结构的侧壁。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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