发明申请
- 专利标题： NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
- 专利标题（中）： 基于氮化物的半导体发光器件
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申请号： US11380415申请日： 2006-04-26
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公开(公告)号： US20080001138A1公开(公告)日： 2008-01-03
- 发明人: Je Kim , Jeong Oh , Dong Kim , Sun Kim , Jin Park , Kyu Lee
- 申请人： Je Kim , Jeong Oh , Dong Kim , Sun Kim , Jin Park , Kyu Lee
- 申请人地址： KR KYUNGKI-DO
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR KYUNGKI-DO
- 优先权： KR2004-10538 20040218
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
Disclosed herein is a nitride-based semiconductor light-emitting device. The nitride-based semiconductor light-emitting device comprises an n-type clad layer made of n-type Alx1Iny1Ga(1-x1-y1)N (where 0≦x1≦1, 0≦y1≦1, and 0≦x1+y1≦1), a multiple quantum well-structured active layer made of undoped InAGa1-AN (where 0
公开/授权文献
- US07893443B2 Nitride based semiconductor light-emitting device 公开/授权日：2011-02-22
信息查询
IPC分类:
