METHOD OF REDUCING A ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR SURFACE

发明申请

US20080003783A1 METHOD OF REDUCING A ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR SURFACE 审中-公开

标题翻译：降低半导体表面粗糙度的方法

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专利标题： METHOD OF REDUCING A ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR SURFACE
专利标题（中）： 降低半导体表面粗糙度的方法
申请号： US11624276

申请日： 2007-01-18
公开(公告)号： US20080003783A1

公开(公告)日： 2008-01-03
发明人: Andy Wei , Thorsten Kammler , Jan Hoentschel , Manfred Horstmann
申请人： Andy Wei , Thorsten Kammler , Jan Hoentschel , Manfred Horstmann
优先权： DE102006030268.0 20060630
主分类号： H01L21/36
IPC分类号： H01L21/36

METHOD OF REDUCING A ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR SURFACE

摘要：

A method of smoothening a surface of a semiconductor structure comprises exposing the surface of the semiconductor structure to a reactant. A chemical reaction between a material of the semiconductor structure and the reactant is performed. In the chemical reaction, a layer of a reaction product is formed on at least a portion of the surface of the semiconductor structure. The layer of the reaction product is selectively and completely removed.

摘要（中）：

使半导体结构的表面平滑化的方法包括将半导体结构的表面暴露于反应物。进行半导体结构材料与反应物之间的化学反应。在化学反应中，在半导体结构的表面的至少一部分上形成反应产物层。反应产物层被选择性地完全除去。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长