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发明申请
US20080012066A1 METHOD FOR MAKING A RAISED VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR DEVICE 有权
制造垂直通道晶体管器件的方法

  • 专利标题： METHOD FOR MAKING A RAISED VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR DEVICE
  • 专利标题（中）： 制造垂直通道晶体管器件的方法
  • 申请号： US11536686
    申请日： 2006-09-29
  • 公开(公告)号： US20080012066A1
    公开(公告)日： 2008-01-17
  • 发明人: Shian-Jyh Lin
  • 申请人： Shian-Jyh Lin
  • 优先权： TW095125767 20060714
  • 主分类号： H01L21/8238
  • IPC分类号： H01L21/8238
METHOD FOR MAKING A RAISED VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR DEVICE
摘要：
A method for fabricating a vertical channel transistor device is provided. An opening is formed in a dielectric stack comprised of a pad nitride layer and a pad oxide layer. A plurality of epitaxial silicon growth and dry etching processes are carried out to form drain, vertical channel and source in the opening. Subsequently, sidewall gate dielectric and sidewall gate electrode are formed on the vertical channel. The present invention is suited for dynamic random access memory (DRAM) devices, particularly suited for very high-density trench-capacitor DRAM devices.
摘要（中）：

提供一种用于制造垂直沟道晶体管器件的方法。 在由衬垫氮化物层和衬垫氧化物层组成的电介质堆叠中形成开口。 进行多个外延硅生长和干蚀刻工艺以在开口中形成漏极，垂直沟道和源极。 随后，在垂直沟道上形成侧壁栅极电介质和侧壁栅电极。 本发明适用于特别适用于非常高密度的沟槽电容器DRAM器件的动态随机存取存储器（DRAM）器件。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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