发明申请
- 专利标题： Nand flash memory programming
- 专利标题（中）： Nand闪存编程
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申请号： US11495507申请日： 2006-07-28
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公开(公告)号： US20080025097A1公开(公告)日： 2008-01-31
- 发明人: Seiichi Aritome , Haitao Liu , Di Li
- 申请人： Seiichi Aritome , Haitao Liu , Di Li
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
A programming method and memory structure for preventing punch-through in a short channel source-side select gate structure includes adjusting voltages on the selected and unselected bitlines, and the program, pass, and select gate voltages.
公开/授权文献
- US07626866B2 NAND flash memory programming 公开/授权日：2009-12-01
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