发明申请
US20080076255A1 MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING THE SAME, METHOD FOR PREPARING COATING, COMPOSITION FOR FINE PATTERN FORMATION, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
有权
用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法，用于制备涂层的方法，用于精细图案形成的组合物，以及制造半导体器件的方法
- 专利标题： MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING THE SAME, METHOD FOR PREPARING COATING, COMPOSITION FOR FINE PATTERN FORMATION, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： 用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法，用于制备涂层的方法，用于精细图案形成的组合物，以及制造半导体器件的方法
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申请号： US11949443申请日： 2007-12-03
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公开(公告)号： US20080076255A1公开(公告)日： 2008-03-27
- 发明人: Mitsuhiro Hata , Jung-Hwan Hah , Hyun-Woo Kim , Sang-Gyun Woo
- 申请人： Mitsuhiro Hata , Jung-Hwan Hah , Hyun-Woo Kim , Sang-Gyun Woo
- 优先权： KR2004-24021 20040408; KR2004-57163 20040722
- 主分类号： G03F1/00
- IPC分类号： G03F1/00 ; H01L21/311
摘要：
A mask pattern for semiconductor device fabrication comprises a resist pattern formed on a semiconductor substrate, and an interpolymer complex film formed on the resist pattern, wherein the interpolymer complex film includes a network formed by a hydrogen bond between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.
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