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发明申请
US20080093338A1 Dry Etching Method And Dry Etching Apparatus 审中-公开
干蚀刻法和干蚀刻设备

  • 专利标题： Dry Etching Method And Dry Etching Apparatus
  • 专利标题（中）： 干蚀刻法和干蚀刻设备
  • 申请号： US11792238
    申请日： 2005-12-06
  • 公开(公告)号： US20080093338A1
    公开(公告)日： 2008-04-24
  • 发明人: Mitsuhiro Okune , Hiroyuki Suzuki
  • 申请人： Mitsuhiro Okune , Hiroyuki Suzuki
  • 优先权： JP2004-352614 20041206
  • 国际申请： PCT/JP05/22351 WO 20051206
  • 主分类号： H01L21/306
  • IPC分类号： H01L21/306 ;  B44C1/22
Dry Etching Method And Dry Etching Apparatus
摘要：
An object of the present invention is suppressing notches in dry etching of a processing object where an etched layer made of a silicon material is formed on an etching stop layer. A substrate 12 has an etched layer 22 made of a silicon material on an etching stop layer 21. SF6/C4F8 gas, as an etching gas, is supplied to generate plasma, and a portion of the etched layer exposed through a resist mask 23 is etched. A sidewall protection layer 24 made of polymer is formed on a sidewall of a trench or hole.
摘要（中）：

本发明的目的是抑制在蚀刻停止层上形成由硅材料制成的蚀刻层的处理对象的干蚀刻中的凹口。 衬底12在蚀刻停止层21上具有由硅材料制成的蚀刻层22。 供应作为蚀刻气体的SF 6 / C 4 F 8气体以产生等离子体，并且蚀刻层的一部分暴露于 蚀刻抗蚀剂掩模23。 在沟槽或孔的侧壁上形成由聚合物制成的侧壁保护层24。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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