发明申请
US20080165592A1 Semiconductor memory device, sense amplifier circuit and memory cell reading method
有权
半导体存储器件，读出放大器电路和存储单元读取方法
- 专利标题： Semiconductor memory device, sense amplifier circuit and memory cell reading method
- 专利标题（中）： 半导体存储器件，读出放大器电路和存储单元读取方法
-
申请号： US11984813申请日： 2007-11-21
-
公开(公告)号： US20080165592A1公开(公告)日： 2008-07-10
- 发明人: Makoto Kitagawa , Wataru Otsuka
- 申请人： Makoto Kitagawa , Wataru Otsuka
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2007-001548 20070109; JP2007-121404 20070502
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
A semiconductor memory device includes: a memory cell; a sense line; and a sense amplifier circuit connected to the memory cell via the sense line. The sense amplifier circuit includes a differential sense amplifier, a pull-up section, a read gate transistor, and a threshold correction section.
公开/授权文献
信息查询
