发明申请
- 专利标题： PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
- 专利标题（中）： 光电转换装置及其制造方法
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申请号： US11970043申请日： 2008-01-07
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公开(公告)号： US20080179702A1公开(公告)日： 2008-07-31
- 发明人: Yoshiyuki Nasuno , Yasuaki Ishikawa , Takanori Nakano
- 申请人： Yoshiyuki Nasuno , Yasuaki Ishikawa , Takanori Nakano
- 优先权： JP2007-18413 20070129
- 主分类号： H01L31/105
- IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/18
摘要：
A photoelectric conversion device includes a p-type layer, an i-type layer and an n-type layer each made of a silicon base semiconductor, stacked in this order, wherein the i-type layer contains n-type impurities in a concentration of 1.0×1016 to 2.0×1017 cm−3.
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