发明申请
- 专利标题： Reducing oxidation under a high K gate dielectric
- 专利标题（中）： 在高K栅电介质下还原氧化
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申请号： US12151483申请日： 2008-05-07
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公开(公告)号： US20080211033A1公开(公告)日： 2008-09-04
- 发明人: Robert B. Turkot , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
- 申请人： Robert B. Turkot , Justin K. Brask , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Uday Shah , Suman Datta , Robert S. Chau
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092
摘要：
A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.
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