利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20080237685A1 Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and devices employing the semiconductor memory device 有权
半导体存储器件及其制造方法以及采用半导体存储器件的器件

Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and devices employing the semiconductor memory device
摘要：
In one embodiment, the semiconductor memory device includes a semiconductor substrate having projecting portions, a tunnel insulation layer formed over at least one of the projecting semiconductor substrate portions, and a floating gate structure disposed over the tunnel insulation layer. An upper portion of the floating gate structure is wider than a lower portion of the floating gate structure, and the lower portion of the floating gate structure has a width less than a width of the tunnel insulating layer. First insulation layer portions are formed in the semiconductor substrate and project from the semiconductor substrate such that the floating gate structure is disposed between the projecting first insulation layer portions. A dielectric layer is formed over the first insulation layer portions and the floating gate structure, and a control gate is formed over the dielectric layer.
摘要（中）：

在一个实施例中，半导体存储器件包括具有突出部分的半导体衬底，在至少一个突出半导体衬底部分上形成的隧道绝缘层，以及设置在隧道绝缘层上的浮动栅极结构。 浮动栅极结构的上部比浮动栅极结构的下部宽，并且浮动栅极结构的下部具有小于隧道绝缘层的宽度的宽度。 第一绝缘层部分形成在半导体衬底中并从半导体衬底突出，使得浮栅结构设置在突出的第一绝缘层部分之间。 在第一绝缘层部分和浮动栅极结构之上形成电介质层，并且在电介质层上形成控制栅极。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
0/0