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发明申请
US20080242084A1 METHOD FOR PLANARIZING AN INSULATION LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF OMITTING A MASK PROCESS AND AN ETCHING PROCESS 审中-公开
用于在掩蔽过程和蚀刻过程的半导体器件中平面化绝缘层的方法

  • 专利标题： METHOD FOR PLANARIZING AN INSULATION LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF OMITTING A MASK PROCESS AND AN ETCHING PROCESS
  • 专利标题（中）： 用于在掩蔽过程和蚀刻过程的半导体器件中平面化绝缘层的方法
  • 申请号： US11939631
    申请日： 2007-11-14
  • 公开(公告)号： US20080242084A1
    公开(公告)日： 2008-10-02
  • 发明人: Hyung Hwan KIM , Jong Goo JUNG
  • 申请人： Hyung Hwan KIM , Jong Goo JUNG
  • 优先权： KR10-2007-0031926 20070330
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
METHOD FOR PLANARIZING AN INSULATION LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF OMITTING A MASK PROCESS AND AN ETCHING PROCESS
摘要：
In a method for planarizing an insulation layer in a semiconductor device, an insulation layer is formed over a semiconductor substrate having a cell region and a peripheral region. The cell region is higher than the peripheral region due to a capacitor formed in the cell region. A metal layer is formed over the insulation layer. The metal layer is chemical mechanical polished to expose the insulation layer portion in the cell region. The exposed insulation layer portion in the cell region is chemical mechanical polishing to planarize the insulation layer, and the planarized insulation layer and the remaining metal layer are chemical mechanical polishing to remove the metal layer remained in the peripheral region. The method for planarizing an insulation layer does not require a separate photosensitive layer forming process or a dry etching process.
摘要（中）：

在半导体装置中的绝缘层平坦化的方法中，在具有单元区域和周边区域的半导体基板上形成绝缘层。 由于在电池区域形成的电容器，电池区域比外围区域高。 在绝缘层上形成金属层。 金属层被化学机械抛光以暴露电池区域中的绝缘层部分。 电池区域中的露出的绝缘层部分是化学机械抛光以使绝缘层平坦化，并且平坦化的绝缘层和剩余的金属层是化学机械抛光以去除留在周边区域中的金属层。 用于平坦化绝缘层的方法不需要单独的感光层形成工艺或干蚀刻工艺。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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