METHOD OF FABRICATING AN ISOLATION SHALLOW TRENCH

发明申请

US20080286935A1 METHOD OF FABRICATING AN ISOLATION SHALLOW TRENCH 有权

标题翻译：制造隔离层的方法

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专利标题： METHOD OF FABRICATING AN ISOLATION SHALLOW TRENCH
专利标题（中）： 制造隔离层的方法
申请号： US11969913

申请日： 2008-01-06
公开(公告)号： US20080286935A1

公开(公告)日： 2008-11-20
发明人: Jen-Jui Huang , Hsiu-Chun Lee , Chang-Ho Yeh
申请人： Jen-Jui Huang , Hsiu-Chun Lee , Chang-Ho Yeh
优先权： TW096117409 20070516
主分类号： H01L21/76
IPC分类号： H01L21/76

摘要：

A method of fabricating an isolation shallow trench contains providing a substrate with at least a deep trench, forming a cap layer on the upper portion of the deep trench, forming a crust layer on a portion of the cap layer, defining a trench extending through the cap layer and the conductive layer, and forming an isolation layer in the shallow trench.

摘要（中）：

制造隔离浅沟槽的方法包括：提供具有至少深沟槽的衬底，在深沟槽的上部形成覆盖层，在覆盖层的一部分上形成外壳层，限定延伸穿过该沟槽的沟槽盖层和导电层，并在浅沟槽中形成隔离层。

公开/授权文献

US07569451B2 Method of fabricating an isolation shallow trench 公开/授权日：2009-08-04

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作