公开(公告)号：US20120302030A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13118451

申请日：2011-05-29

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： A method of fabricating a deep trench capacitor includes the steps as follows. Firstly, a substrate having a trench therein is provided. Then, a bottom electrode is formed in the substrate around the trench. Later, a capacitor dielectric layer is formed to surround an inner sidewall of the trench. After that, a first conductive layer is form to fill up the trench. Subsequently, a material layer is formed on the substrate. Later, a hole is formed in the material layer, wherein the hole is directly above the trench. Finally, a second conductive layer is form to fill in the hole.

摘要翻译： 制造深沟槽电容器的方法包括以下步骤。 首先，提供其中具有沟槽的衬底。 然后，在沟槽周围的衬底中形成底部电极。 之后，形成电容器电介质层以包围沟槽的内侧壁。 之后，形成填充沟槽的第一导电层。 接着，在基板上形成材料层。 之后，在该材料层中形成一个孔，其中孔直接在沟槽的上方。 最后，第二导电层是填充孔的形式。

公开(公告)号：US20120301833A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13118447

申请日：2011-05-29

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/3083

摘要： The present invention provides a method of reducing microloading effect by using a photoresist layer as a buffer. The method includes: providing a substrate defined with a dense region and an isolated region. Then, a dense feature pattern and an isolated feature pattern are formed on the dense region and the isolated region respectively. After that, a photoresist layer is formed to cover the isolated region. Finally, the substrate and the photoresist layer are etched by taking the dense feature pattern and the isolated feature pattern as a mask.

摘要翻译： 本发明提供一种通过使用光致抗蚀剂层作为缓冲液来减少微载物效应的方法。 该方法包括：提供限定有致密区域和隔离区域的衬底。 然后，分别在密集区域和孤立区域上形成致密特征图案和隔离特征图案。 之后，形成光致抗蚀剂层以覆盖隔离区域。 最后，通过将密集特征图案和孤立的特征图案作为掩模来蚀刻基底和光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US20060154435A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10907101

申请日：2005-03-20

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yinan Chen

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yinan Chen

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： A method of fabricating trench isolation for trench-capacitor DRAM devices. After the formation of deep trench capacitors, an isolation trench is etched into a substrate. The isolation trench is initially filled with a first insulating layer, which is then recessed into the isolation trench to a depth that is lower than the substrate main surface. An epitaxial layer is grown from the exposed sidewalls of the isolation trench. The isolation trench is then filled with a second insulating layer.

摘要翻译： 一种用于沟槽电容器DRAM器件的沟槽隔离的方法。 在形成深沟槽电容器之后，将隔离沟槽蚀刻到衬底中。 隔离沟槽最初填充有第一绝缘层，然后将第一绝缘层凹入到隔离沟槽中，其深度低于衬底主表面。 从隔离沟槽的暴露的侧壁生长外延层。 隔离沟槽然后用第二绝缘层填充。

公开(公告)号：US08377632B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13118447

申请日：2011-05-29

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/3083

摘要： The present invention provides a method of reducing microloading effect by using a photoresist layer as a buffer. The method includes: providing a substrate defined with a dense region and an isolated region. Then, a dense feature pattern and an isolated feature pattern are formed on the dense region and the isolated region respectively. After that, a photoresist layer is formed to cover the isolated region. Finally, the substrate and the photoresist layer are etched by taking the dense feature pattern and the isolated feature pattern as a mask.

摘要翻译： 本发明提供一种通过使用光致抗蚀剂层作为缓冲液来减少微载物效应的方法。 该方法包括：提供限定有致密区域和隔离区域的衬底。 然后，分别在密集区域和孤立区域上形成致密特征图案和隔离特征图案。 之后，形成光致抗蚀剂层以覆盖隔离区域。 最后，通过将密集特征图案和孤立的特征图案作为掩模来蚀刻基底和光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08252684B1

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13118480

申请日：2011-05-30

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/3212

摘要： A method of forming a trench by a silicon-containing mask is provided in the present invention. The method includes providing a substrate covered with a silicon-containing mask. Then, anti-etch dopants are implanted into the silicon-containing mask to transform the silicon-containing mask into an etching resist mask. Later, the substrate and the etching resist mask are patterned to form at least one trench. Next, a silicon-containing layer is formed to fill into the trench. Finally, the silicon-containing layer is etched by taking the etching resist mask as a mask.

摘要翻译： 在本发明中提供了通过含硅掩模形成沟槽的方法。 该方法包括提供用含硅掩模覆盖的基底。 然后，将抗蚀刻掺杂剂注入到含硅掩模中以将含硅掩模转变成抗蚀剂掩模。 然后，对衬底和抗蚀剂掩模进行构图以形成至少一个沟槽。 接下来，形成含硅层以填充到沟槽中。 最后，通过将抗蚀剂掩模作为掩模来蚀刻含硅层。

公开(公告)号：US20050147926A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10749590

申请日：2004-01-02

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen ,  Chih-Ta Wang

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen ,  Chih-Ta Wang

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/168 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405

摘要： Disclosed is a method for processing photoresist. The method of the present invention performs Ar plasma process to the photoresist after or before the photoreisist is formed into a pattern to make the photoresist dense.

摘要翻译： 公开了一种处理光致抗蚀剂的方法。 本发明的方法在光电导体形成图案之后或之后对光致抗蚀剂进行Ar等离子体处理以使光致抗蚀剂致密。

公开(公告)号：US20050118531A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10707259

申请日：2003-12-02

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/36 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/0274 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： A method for controlling line width critical dimension is disclosed. A semiconductor layer is deposited on a substrate. A cap layer is formed on the semiconductor layer. A patterned photoresist is formed on the cap layer. The patterned photoresist has a top surface and vertical sidewalls. A silicon thin film is selectively sputtered on the top surface and vertical sidewalls of the patterned photoresist, but not on the cap layer. The silicon thin film, which has a thickness: x above the top surface and a thickness: y on the sidewalls of the patterned photoresist, wherein xx

摘要翻译： 公开了一种用于控制线宽临界尺寸的方法。 在衬底上沉积半导体层。 在半导体层上形成覆盖层。 在盖层上形成图案化的光致抗蚀剂。 图案化的光致抗蚀剂具有顶表面和垂直侧壁。 硅薄膜在图案化光致抗蚀剂的顶表面和垂直侧壁上被选择性溅射，但不在盖层上。 硅薄膜的厚度x高于顶表面，图案化光致抗蚀剂的侧壁上的厚度为：y，其中xx <，用于保护图案化的光致抗蚀剂。 使用硅薄膜和图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模，封盖层被各向异性蚀刻，从而将光刻胶图案转印到盖层。 最后，使用盖层作为蚀刻掩模，蚀刻半导体层。

公开(公告)号：US20120305525A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13149861

申请日：2011-05-31

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： C23F1/00 ,  B05D3/10

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3086

摘要： A method of reducing striation on a sidewall of a recess is provided. The method includes the steps of providing a substrate covered with a photoresist layer. Then, the photoresist layer is etched to form a patterned photoresist layer. Later, a repairing process is performed by treating the patterned photoresist layer with a repairing gas which is selected from the group consisting of CF4, HBr, O2 and He. Next, the substrate is etched by taking the patterned photoresist layer as a mask after the repairing process. Finally, the patterned photoresist layer is removed.

摘要翻译： 提供一种减少凹槽侧壁上的条纹的方法。 该方法包括提供被光致抗蚀剂层覆盖的基底的步骤。 然后，蚀刻光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。 然后，通过用选自CF 4，HBr，O 2和He的修复气体处理图案化的光致抗蚀剂层来进行修复过程。 接下来，在修复处理之后，通过将图案化的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基板。 最后，去除图案化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US20080286935A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11969913

申请日：2008-01-06

申请人： Jen-Jui Huang ,  Hsiu-Chun Lee ,  Chang-Ho Yeh

发明人： Jen-Jui Huang ,  Hsiu-Chun Lee ,  Chang-Ho Yeh

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/1087

摘要： A method of fabricating an isolation shallow trench contains providing a substrate with at least a deep trench, forming a cap layer on the upper portion of the deep trench, forming a crust layer on a portion of the cap layer, defining a trench extending through the cap layer and the conductive layer, and forming an isolation layer in the shallow trench.

摘要翻译： 制造隔离浅沟槽的方法包括：提供具有至少深沟槽的衬底，在深沟槽的上部形成覆盖层，在覆盖层的一部分上形成外壳层，限定延伸穿过该沟槽的沟槽 盖层和导电层，并在浅沟槽中形成隔离层。

公开(公告)号：US20050148152A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10751503

申请日：2004-01-06

申请人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen

发明人： Hsiu-Chun Lee ,  Tse-Yao Huang ,  Yi-Nan Chen

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76224

摘要： Disclosed is a method for forming a shallow trench. The method of the present invention comprises steps of providing a substrate; forming a plurality of operation layers on the substrate; forming photoresist on the uppermost one of the operation layers to define a position to be etched; etching a portion of the operation layers at said position to form an opening; forming a spacing layer on the sidewall of the opening; and etching a portion of the substrate corresponding to the opening to form a shallow trench. By the etching method of the present invention, a striation phenomenon caused by the common mask etch is avoided.

摘要翻译： 公开了一种形成浅沟槽的方法。 本发明的方法包括提供基底的步骤; 在所述基板上形成多个操作层; 在最上面的操作层上形成光致抗蚀剂以限定待蚀刻的位置; 在所述位置蚀刻操作层的一部分以形成开口; 在所述开口的侧壁上形成间隔层; 并且蚀刻对应于所述开口的所述基板的一部分以形成浅沟槽。 通过本发明的蚀刻方法，避免了由普通掩模蚀刻引起的条纹现象。