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发明申请
US20090004087A1 Thermal Expansion Inhibitor, Zero Thermal Expansion Material, Negative Thermal Expansion Material, Method for Inhibiting Thermal Expansion, and Method for Producing Thermal Expansion Inhibitor 有权
热膨胀抑制剂，零热膨胀材料，负热膨胀材料，用于抑制热膨胀的方法，以及生产热膨胀抑制剂的方法

  • 专利标题： Thermal Expansion Inhibitor, Zero Thermal Expansion Material, Negative Thermal Expansion Material, Method for Inhibiting Thermal Expansion, and Method for Producing Thermal Expansion Inhibitor
  • 专利标题（中）： 热膨胀抑制剂，零热膨胀材料，负热膨胀材料，用于抑制热膨胀的方法，以及生产热膨胀抑制剂的方法
  • 申请号： US11658740
    申请日： 2005-07-29
  • 公开(公告)号： US20090004087A1
    公开(公告)日： 2009-01-01
  • 发明人: Koshi Takenaka , Hidenori Takagi
  • 申请人： Koshi Takenaka , Hidenori Takagi
  • 申请人地址： JP Woko-shi
  • 专利权人： RIKEN
  • 当前专利权人： RIKEN
  • 当前专利权人地址： JP Woko-shi
  • 优先权： JP2004-224431 20040730; JP2005-018311 20050126
  • 国际申请： PCT/JP2005/013914 WO 20050729
  • 主分类号： C01B33/06
  • IPC分类号： C01B33/06 ;  C01B21/06 ;  C01B21/00
Thermal Expansion Inhibitor, Zero Thermal Expansion Material, Negative Thermal Expansion Material, Method for Inhibiting Thermal Expansion, and Method for Producing Thermal Expansion Inhibitor
摘要：
Provided is a thermal expansion inhibitor which has a much broader application range and which can be used with ease.Used is a thermal expansion inhibitor comprising a manganese nitride crystal.
摘要（中）：

提供了具有更广泛应用范围并且可以容易地使用的热膨胀抑制剂。 使用的是包含氮化锰晶体的热膨胀抑制剂。

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