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发明申请
US20090011065A1 Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method 有权
干蚀刻法，精细结构形成法，模具和模具制造方法

  • 专利标题： Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method
  • 专利标题（中）： 干蚀刻法，精细结构形成法，模具和模具制造方法
  • 申请号： US11659109
    申请日： 2006-05-23
  • 公开(公告)号： US20090011065A1
    公开(公告)日： 2009-01-08
  • 发明人: Hideo Nakagawa , Masaru Sasago , Tomoyasu Murakami
  • 申请人： Hideo Nakagawa , Masaru Sasago , Tomoyasu Murakami
  • 优先权： JP2005-151412 20050524; JP2005-151413 20050524; JP2005-151414 20050524; JP2006-034852 20060213
  • 国际申请： PCT/JP2006/310214 WO 20060523
  • 主分类号： B23K10/00
  • IPC分类号： B23K10/00 ;  B44C1/22
Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method
摘要：
A WC substrate 7 is etched by using plasma 50 generated from a gas including a chlorine atom.
摘要（中）：

通过使用由包括氯原子的气体产生的等离子体50来蚀刻WC衬底7。

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