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发明申请
US20090020809A1 Semiconductor device including trench gate transistor and method of forming the same 有权
包括沟槽栅晶体管的半导体器件及其形成方法

  • 专利标题： Semiconductor device including trench gate transistor and method of forming the same
  • 专利标题（中）： 包括沟槽栅晶体管的半导体器件及其形成方法
  • 申请号： US12219197
    申请日： 2008-07-17
  • 公开(公告)号： US20090020809A1
    公开(公告)日： 2009-01-22
  • 发明人: Yoshihiro Kitamura , Toru Miyazaki
  • 申请人： Yoshihiro Kitamura , Toru Miyazaki
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： ELPIDA MEMORY, INC.
  • 当前专利权人： ELPIDA MEMORY, INC.
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JPP2007-188084 20070719
  • 主分类号： H01L29/78
  • IPC分类号： H01L29/78
Semiconductor device including trench gate transistor and method of forming the same
摘要：
A semiconductor device includes an active region having a groove, a gate insulating film, and a gate electrode. The gate electrode may include first and second layers. The first layer extends along the gate insulating film. The first layer is electrically conductive. The second layer extends along the first layer. The second layer is separate from the gate insulating film by the first layer.
摘要（中）：

半导体器件包括具有凹槽的有源区，栅极绝缘膜和栅电极。 栅电极可以包括第一层和第二层。 第一层沿着栅极绝缘膜延伸。 第一层是导电的。 第二层沿着第一层延伸。 第二层与第一层与栅极绝缘膜分开。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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