发明申请
US20090090988A1 SOLID STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGING APPARATUS 有权
固态成像装置,其制造方法和成像装置

  • 专利标题: SOLID STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGING APPARATUS
  • 专利标题(中): 固态成像装置,其制造方法和成像装置
  • 申请号: US12237671
    申请日: 2008-09-25
  • 公开(公告)号: US20090090988A1
    公开(公告)日: 2009-04-09
  • 发明人: Yuko OHGISHI
  • 申请人: Yuko OHGISHI
  • 申请人地址: JP Tokyo
  • 专利权人: Sony Corporation
  • 当前专利权人: Sony Corporation
  • 当前专利权人地址: JP Tokyo
  • 优先权: JP2007-259501 20071003
  • 主分类号: H01L31/102
  • IPC分类号: H01L31/102 H01L31/18
SOLID STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGING APPARATUS
摘要:
A solid state imaging device includes: a plurality of sensor sections formed in a semiconductor substrate in order to convert incident light into an electric signal; a peripheral circuit section formed in the semiconductor substrate so as to be positioned beside the sensor sections; and a layer having negative fixed electric charges that is formed on a light incidence side of the sensor sections in order to form a hole accumulation layer on light receiving surfaces of the sensor sections.
信息查询
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
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