SLURRY FOR POLISHING RUTHENIUM AND METHOD FOR POLISHING USING THE SAME

发明申请

US20090124082A1 SLURRY FOR POLISHING RUTHENIUM AND METHOD FOR POLISHING USING THE SAME 审中-公开

标题翻译：用于抛光的浆料和使用其抛光的方法

专利标题： SLURRY FOR POLISHING RUTHENIUM AND METHOD FOR POLISHING USING THE SAME
专利标题（中）： 用于抛光的浆料和使用其抛光的方法
申请号： US12165252

申请日： 2008-06-30
公开(公告)号： US20090124082A1

公开(公告)日： 2009-05-14
发明人: Hyung-Soon PARK , Jin-Woong Kim , Noh-Jung Kwak , Yong-Soo Choi , Jong-Han Shin , Cheol-Hwi Ruy , Jum-Yong Park , Sung-Jun Kim , Jin-Goo Park , In-Kwon Kim , Tae-Young Kwon
申请人： Hyung-Soon PARK , Jin-Woong Kim , Noh-Jung Kwak , Yong-Soo Choi , Jong-Han Shin , Cheol-Hwi Ruy , Jum-Yong Park , Sung-Jun Kim , Jin-Goo Park , In-Kwon Kim , Tae-Young Kwon
申请人地址： KR Ichon-shi
专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
当前专利权人地址： KR Ichon-shi
优先权： KR2007-0113859 20071108
主分类号： H01L21/304
IPC分类号： H01L21/304 ; C09K3/14

摘要：

A slurry for polishing a ruthenium layer comprises distilled water, sodium periodate (NaIO4), an abrasive and a pH controlling agent.

摘要（中）：

用于抛光钌层的浆料包括蒸馏水，高碘酸钠（NaIO 4），研磨剂和pH控制剂。

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304	......机械处理，例如研磨、抛光、切割