发明申请
- 专利标题： METHOD OF PRODUCING MULTIPLE SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题（中）： 生产多个半导体器件的方法
-
申请号： US12234192申请日： 2008-09-19
-
公开(公告)号： US20090134512A1公开(公告)日： 2009-05-28
- 发明人: Chau Fatt Chiang , Chwee Lan Lai , Beng Keh See
- 申请人： Chau Fatt Chiang , Chwee Lan Lai , Beng Keh See
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
- 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 主分类号： H01L23/28
- IPC分类号： H01L23/28 ; H01L21/50
摘要：
A method for producing multiple semiconductor devices. An electrically conductive layer is applied onto a semiconductor wafer. The semiconductor wafer is structured to produce multiple semiconductor chips. The electrically conductive layer is structured to produce multiple semiconductor devices.
公开/授权文献
- US08053280B2 Method of producing multiple semiconductor devices 公开/授权日：2011-11-08
信息查询
IPC分类:
