Plasma Reactor

发明申请

US20090165953A1 Plasma Reactor 有权

标题翻译：等离子体反应器

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专利标题： Plasma Reactor
专利标题（中）： 等离子体反应器
申请号： US12084189

申请日： 2006-09-26
公开(公告)号： US20090165953A1

公开(公告)日： 2009-07-02
发明人: Andrew James Seeley , Marilena Radoiu
申请人： Andrew James Seeley , Marilena Radoiu
优先权： GB0521830.0 20051026
国际申请： PCT/GB2006/003578 WO 20060926
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; C23C16/511 ; B01J19/08

摘要：

A plasma reactor (10) comprises a microwave resonant cavity (12) having a gas inlet (18) and a gas outlet (20), a waveguide (14) for conveying microwave radiation to the resonant cavity, and a plasma torch (40) for injecting into the resonant cavity a plasma stream containing ions for reacting with a gas flowing from the gas inlet (18) to the gas outlet (20).

摘要（中）：

等离子体反应器（10）包括具有气体入口（18）和气体出口（20）的微波谐振腔（12），用于将微波辐射传送到谐振腔的波导（14）和等离子体焰炬（40）用于将包含离子的等离子体流注入到谐振腔中，所述离子流与从气体入口（18）流到气体出口（20）的气体反应。

公开/授权文献

US08168128B2 Plasma reactor 公开/授权日：2012-05-01

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀