发明申请
- 专利标题： Reducing temporal changes in phase change memories
- 专利标题（中）： 减少相变存储器的时间变化
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申请号： US12080021申请日： 2008-03-31
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公开(公告)号： US20090244964A1公开(公告)日： 2009-10-01
- 发明人: Semyon D. Savransky , Ilya V. Karpov
- 申请人： Semyon D. Savransky , Ilya V. Karpov
- 主分类号： G11C11/21
- IPC分类号： G11C11/21
摘要：
A phase change memory in the reset state may be heated to reduce or eliminate electrical drift.
公开/授权文献
- US07965545B2 Reducing temporal changes in phase change memories 公开/授权日：2011-06-21
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