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    Reducing Drift in Chalcogenide Devices
    1.
    发明申请
    Reducing Drift in Chalcogenide Devices 有权
    减少硫族化物装置中的漂移

    公开(公告)号：US20110168965A1

    公开(公告)日：2011-07-14

    申请号：US13072002

    申请日：2011-03-25

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    摘要： Chalcogenide materials conventionally used in chalcogenide memory devices and ovonic threshold switches may exhibit a tendency called drift, wherein threshold voltage or resistance changes with time. By providing a compensating material which exhibits an opposing tendency, the drift may be compensated. The compensating material may be mixed into a chalcogenide, may be layered with chalcogenide, may be provided with a heater, or may be provided as part of an electrode in some embodiments. Both chalcogenide and non-chalcogenide compensating materials may be used.

    摘要翻译： 通常用于硫族化物记忆装置和超声波阈值开关的硫属化物材料可能会出现称为漂移的趋势，其中阈值电压或电阻随时间而变化。 通过提供具有相反趋势的补偿材料，可以补偿漂移。 补偿材料可以混合成硫族化物，可以用硫族化物层叠，可以设置有加热器，或者可以在一些实施方案中提供作为电极的一部分。 可以使用硫族化物和非硫族化物补偿材料。

    Nanoscale electrical device
    2.
    发明申请
    Nanoscale electrical device 审中-公开
    纳米电气设备

    公开(公告)号：US20100090189A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12584844

    申请日：2009-09-14

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/18 ,  H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145

    摘要： A device consists a disordered relaxation insulator or/and a polyamorphous solid between two or more electrodes. Invented devices can perform passive, logic and memory functions in an electronic integrated circuit.

    摘要翻译： 器件由两个或更多个电极之间的无序松弛绝缘体和/或多晶体固体组成。 发明的设备可以在电子集成电路中执行被动，逻辑和存储功能。

    Programming multilevel cell phase change memories
    3.
    发明申请
    Programming multilevel cell phase change memories 有权
    编程多电平单元相变存储器

    公开(公告)号：US20090244963A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12080006

    申请日：2008-03-31

    申请人： Ilya V. Karpov ,  Semyon D. Savransky

    发明人： Ilya V. Karpov ,  Semyon D. Savransky

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

    摘要： A multilevel phase change memory cell may have a plurality of intermediate levels between a set and a reset or a crystalline and amorphous states. These intermediate levels between set and reset may be differentiated not only by programming current, but also by different programming pulse widths. As a result, the intermediate states may be positioned, on the programming current versus programming pulse width curve, in regions of common resistance with a relatively large range of programming current.

    摘要翻译： 多电平相变存储单元可以具有集合和复位之间的多个中间电平或晶体和非晶态。 可以通过编程电流，也可以通过不同的编程脉冲宽度来区分设置和复位之间的这些中间电平。 结果，中间状态可以在编程电流与编程脉冲宽度曲线上在具有相对大的编程电流范围的公共电阻的区域中定位。

    Asymmetric chalcogenide device
    4.
    发明申请
    Asymmetric chalcogenide device 审中-公开
    不对称硫族化物装置

    公开(公告)号：US20080113464A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：US11545234

    申请日：2006-10-10

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/04 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144

    摘要： A semiconductor device with S-type negative differential resistance (e.g., phase change memory or threshold switch) may be formed with an asymmetric i-v curve. The asymmetric nature may be achieved by using a lower electrode formed of a semiconductor material such as doped amorphous or polycrystalline semiconductor. The resulting device may have a threshold voltage and leakage current that depend on the polarity of the applied electrical signal. In some embodiments, an ovonic threshold switch with an asymmetric i-v curve may be combined with an ovonic memory cell with an asymmetric i-v curve.

    摘要翻译： 可以用非对称i-v曲线形成具有S型负差分电阻（例如，相变存储器或阈值开关）的半导体器件。 可以通过使用由诸如掺杂的非晶或多晶半导体的半导体材料形成的下电极来实现非对称性质。 所得到的器件可能具有取决于所施加的电信号的极性的阈值电压和漏电流。 在一些实施例中，具有不对称i-v曲线的卵形阈值开关可以与具有不对称i-v曲线的超声波存储器单元组合。

    Reducing drift in chalcogenide devices
    7.
    发明授权
    Reducing drift in chalcogenide devices 有权
    减少硫族化物装置中的漂移

    公开(公告)号：US07936593B2

    公开(公告)日：2011-05-03

    申请号：US12082070

    申请日：2008-04-08

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    摘要： Chalcogenide materials conventionally used in chalcogenide memory devices and ovonic threshold switches may exhibit a tendency called drift, wherein threshold voltage or resistance changes with time. By providing a compensating material which exhibits an opposing tendency, the drift may be compensated. The compensating material may be mixed into a chalcogenide, may be layered with chalcogenide, may be provided with a heater, or may be provided as part of an electrode in some embodiments. Both chalcogenide and non-chalcogenide compensating materials may be used.

    摘要翻译： 通常用于硫族化物记忆装置和超声波阈值开关的硫属化物材料可能会出现称为漂移的趋势，其中阈值电压或电阻随时间而变化。 通过提供具有相反趋势的补偿材料，可以补偿漂移。 补偿材料可以混合成硫族化物，可以用硫族化物层叠，可以设置有加热器，或者可以在一些实施方案中提供作为电极的一部分。 可以使用硫族化物和非硫族化物补偿材料。

    Method of a phase-change memory programming
    8.
    发明申请
    Method of a phase-change memory programming 审中-公开
    相变存储器编程方法

    公开(公告)号：US20110069540A1

    公开(公告)日：2011-03-24

    申请号：US12924167

    申请日：2010-09-22

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55

    摘要： A method of programming a phase-change memory (PCM) device to the high resistance reset state by means of pressure-induced amorphization. A train of few short bipolar current pulses is applied to the PCM device in order to stress phase-change alloy (PCA) under high pressure, and current in each pulse is almost equal to set current. An atomic structure of phase-change alloy is easily deformable by external pressure due to weak chemical bonds. Some materials mechanically contacted PCA in PCM have lower coefficients of thermal expansion and compressibility as well as higher coefficient of hardness than the corresponding coefficients of the PCA.

    摘要翻译： 通过压力诱导的非晶化将相变存储器（PCM）器件编程为高电阻复位状态的方法。 为了在高压下应力相变合金（PCA），将一些短的双极电流脉冲施加到PCM器件，并且每个脉冲中的电流几乎等于设定电流。 由于化学键较弱，相变合金的原子结构容易因外部压力而变形。 在PCM中机械接触PCA的一些材料具有比PCA的相应系数更低的热膨胀系数和可压缩性，以及更高的硬度系数。