发明申请
US20090261361A1 III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE WITH DOUBLE HETEROSTRUCTURE LIGHT EMMITTING REGION
有权
具有双重结构光照射区域的III型氮化物发光装置
- 专利标题： III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE WITH DOUBLE HETEROSTRUCTURE LIGHT EMMITTING REGION
- 专利标题（中）： 具有双重结构光照射区域的III型氮化物发光装置
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申请号： US12495464申请日： 2009-06-30
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公开(公告)号： US20090261361A1公开(公告)日： 2009-10-22
- 发明人: Yu-Chen Shen , Nathan F. Gardner , Satoshi Watanabe , Michael R. Krames , Gerd O. Mueller
- 申请人： Yu-Chen Shen , Nathan F. Gardner , Satoshi Watanabe , Michael R. Krames , Gerd O. Mueller
- 申请人地址： NL Eindhoven US CA San Jose
- 专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.,PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
- 当前专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.,PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
- 当前专利权人地址： NL Eindhoven US CA San Jose
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A III-nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region in a double heterostructure. At least a portion of the III-nitride light emitting layer has a graded composition.
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