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发明申请
US20090283738A1 Phase-change memory using single element semimetallic layer 有权
使用单元素半金属层的相变存储器

Phase-change memory using single element semimetallic layer
摘要：
Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.
摘要（中）：

提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

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