公开(公告)号：US08767450B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12662949

申请日：2010-05-13

申请人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-yon Lee ,  Dae-won Ha

发明人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-yon Lee ,  Dae-won Ha

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C16/3431 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0088 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： A memory system includes a memory cell array having a plurality of memory sectors. Each memory sector includes a plurality of memory cells. The memory system further includes a controller configured to write data to the memory cell array in response to a writing signal. The controller is further configured to refresh a memory sector among the plurality of memory sectors each time a writing signal is provided. When N (N is a positive integer) memory cells are programmed, a programming current is less than or equal to about 0.75 mA*N.

摘要翻译： 存储器系统包括具有多个存储器扇区的存储单元阵列。 每个存储器扇区包括多个存储单元。 存储器系统还包括配置成响应于写入信号将数据写入存储单元阵列的控制器。 控制器还被配置为在每次提供写入信号时刷新多个存储器扇区中的存储器扇区。 当N（N是正整数）存储单元被编程时，编程电流小于或等于大约0.75mA * N。

公开(公告)号：US20130168683A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13480233

申请日：2012-05-24

申请人： Mi-Seon SEO ,  Cheol Kyu KIM ,  Sung Hoon YANG ,  Hee Young LEE ,  Sang Hyun JEON

发明人： Mi-Seon SEO ,  Cheol Kyu KIM ,  Sung Hoon YANG ,  Hee Young LEE ,  Sang Hyun JEON

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78678

摘要： A thin film transistor is provided. A thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a substrate; a gate electrode disposed on the substrate; a gate insulating layer disposed on the gate electrode; a semiconductor layer disposed on the gate insulating layer; and a source electrode and a drain electrode disposed on a portion of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer includes an ohmic contact layer, a channel layer, and a buffer layer, the buffer layer disposed between the channel layer and the ohmic contact layer, and the source electrode and the drain electrode contact a surface of the ohmic contact layer.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管。 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管包括：基板; 设置在所述基板上的栅电极; 设置在栅电极上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的半导体层; 以及设置在所述半导体层的一部分上的源电极和漏电极，其中所述半导体层包括欧姆接触层，沟道层和缓冲层，所述缓冲层设置在所述沟道层和所述欧姆接触层之间， 并且源电极和漏电极接触欧姆接触层的表面。

公开(公告)号：US20120099371A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13343383

申请日：2012-01-04

申请人： Cheol-kyu KIM ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

发明人： Cheol-kyu KIM ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

IPC分类号： G11C11/21

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： A method of operating a phase-change memory device including a phase-change layer and a unit applying a voltage to the phase-change layer is provided. The method includes applying a reset voltage to the phase-change layer, wherein the reset voltage includes at least two pulse voltages which are continuously applied.

摘要翻译： 提供一种操作包括相变层和向相变层施加电压的单元的相变存储器件的方法。 该方法包括将复位电压施加到相变层，其中复位电压包括连续施加的至少两个脉冲电压。

公开(公告)号：US08026156B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US12489819

申请日：2009-06-23

申请人： Soo Min Lee ,  Cheol Kyu Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Hwan Jang ,  Masayoshi Koike

发明人： Soo Min Lee ,  Cheol Kyu Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Hwan Jang ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0079

摘要： In a method for fabricating a nitride-based compound layer, first, a GaN substrate is prepared. A mask layer with a predetermined pattern is formed on the GaN substrate to expose a partial area of the GaN substrate. Then a buffer layer is formed on the partially exposed GaN substrate. The buffer layer is made of a material having a 10% or less lattice mismatch with GaN. Thereafter, the nitride-based compound is grown laterally from a top surface of the buffer layer toward a top surface of the mask layer and the nitride-based compound layer is vertically grown to a predetermined thickness. Also, the mask layer and the buffer layer are removed via wet-etching to separate the nitride-based compound layer from the GaN substrate.

摘要翻译： 在制造氮化物类化合物层的方法中，首先制备GaN衬底。 在GaN衬底上形成具有预定图案的掩模层，以暴露GaN衬底的部分区域。 然后在部分曝光的GaN衬底上形成缓冲层。 缓冲层由具有10％以下与GaN的晶格失配的材料制成。 此后，氮化物类化合物从缓冲层的顶表面朝向掩模层的顶表面横向生长，并且氮化物基化合物层垂直生长至预定厚度。 此外，通过湿蚀刻除去掩模层和缓冲层，以将氮化物基化合物层与GaN衬底分离。

公开(公告)号：US07994492B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是进一步包括O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1,0.05＆nlE; x1＆nlE; 0.30,0.00＆ y和nl; 0.50和x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。

公开(公告)号：US07859086B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11723065

申请日：2007-03-16

申请人： Cheol Kyu Kim ,  Yung Ho Ryu ,  Soo Min Lee ,  Jong In Yang ,  Tae Hyung Kim

发明人： Cheol Kyu Kim ,  Yung Ho Ryu ,  Soo Min Lee ,  Jong In Yang ,  Tae Hyung Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0075

摘要： A nitride semiconductor single crystal substrate, a manufacturing method thereof and a method for manufacturing a vertical nitride semiconductor device using the same. According to an aspect of the invention, in the nitride semiconductor single crystal substrate, upper and lower regions are divided along a thickness direction, the nitride single crystal substrate having a thickness of at least 100 μm. Here, the upper region has a doping concentration that is five times or greater than that of the lower region. Preferably, a top surface of the substrate in the upper region has Ga polarity. Also, according to a specific embodiment of the invention, the lower region is intentionally un-doped and the upper region is n-doped. Preferably, each of the upper and lower regions has a doping concentration substantially identical in a thickness direction.

摘要翻译： 氮化物半导体单晶衬底，其制造方法和使用其的垂直氮化物半导体器件的制造方法。 根据本发明的一个方面，在氮化物半导体单晶衬底中，沿着厚度方向分割上部和下部区域，所述氮化物单晶衬底的厚度至少为100μm。 这里，上部区域的掺杂浓度为下部区域的5倍以上。 优选地，上部区域中的基板的顶表面具有Ga极性。 此外，根据本发明的具体实施例，下部区域有意地未掺杂，并且上部区域是n掺杂的。 优选地，上部区域和下部区域中的每一个具有在厚度方向上基本相同的掺杂浓度。

公开(公告)号：US20100246247A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12662949

申请日：2010-05-13

申请人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-von Lee ,  Dae-won Ha

发明人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-von Lee ,  Dae-won Ha

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/3431 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0088 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： A memory system includes a memory cell array having a plurality of memory sectors. Each memory sector includes a plurality of memory cells. The memory system further includes a controller configured to write data to the memory cell array in response to a writing signal. The controller is further configured to refresh a memory sector among the plurality of memory sectors each time a writing signal is provided. When N (N is a positive integer) memory cells are programmed, a programming current is less than or equal to about 0.75 mA*N.

摘要翻译： 存储器系统包括具有多个存储器扇区的存储单元阵列。 每个存储器扇区包括多个存储单元。 存储器系统还包括配置成响应于写入信号将数据写入存储单元阵列的控制器。 控制器还被配置为在每次提供写入信号时刷新多个存储器扇区中的存储器扇区。 当N（N是正整数）存储单元被编程时，编程电流小于或等于大约0.75mA * N。

公开(公告)号：US20090283738A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12213234

申请日：2008-06-17

申请人： Tae-yon Lee ,  Ki-Joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-Kyu Kim

发明人： Tae-yon Lee ,  Ki-Joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-Kyu Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

摘要： Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.

摘要翻译： 提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

公开(公告)号：US20090196089A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  C01B33/113 ,  C01B21/068 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是还包含O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1时，0.05 <= x1 <= 0.30,0.00 < = y <= 0.50，x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。

公开(公告)号：US20090179185A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12285449

申请日：2008-10-06

申请人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L47/00 ,  C09K5/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change material layer includes antimony (Sb) and at least one of indium (In) and gallium (Ga). A phase change memory device includes a storage node including a phase change material layer and a switching device connected to the storage node. The phase change material layer includes Sb and at least one of In and Ga.

摘要翻译： 相变材料层包括锑（Sb）和铟（In）和镓（Ga）中的至少一种。 相变存储器件包括：存储节点，包括相变材料层和连接到存储节点的开关器件。 相变材料层包括Sb和In和Ga中的至少一种。