Mobility Enhanced FET Devices

发明申请

US20090298244A1 Mobility Enhanced FET Devices 审中-公开

标题翻译：移动增强型FET器件

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专利标题： Mobility Enhanced FET Devices
专利标题（中）： 移动增强型FET器件
申请号： US12537275

申请日： 2009-08-07
公开(公告)号： US20090298244A1

公开(公告)日： 2009-12-03
发明人: Bruce B. Doris , Cyril Cabral, JR. , Elizabeth A. Duch , Stephen M. Rossnagel , Michelle L. Steen
申请人： Bruce B. Doris , Cyril Cabral, JR. , Elizabeth A. Duch , Stephen M. Rossnagel , Michelle L. Steen
申请人地址： US NY Armonk
专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人地址： US NY Armonk
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238

摘要：

NFET and PFET devices with separately stressed channel regions, and methods of their fabrication is disclosed. A FET is disclosed which includes a gate, which gate includes a metal in a first state of stress. The FET also includes a channel region hosted in a single crystal Si based material, which channel region is overlaid by the gate and is in a second state of stress. The second state of stress of the channel region is of an opposite sign than the first state of stress of the metal included in the gate. The NFET channel is usually in a tensile state of stress, while the PFET channel is usually in a compressive state of stress. The methods of fabrication include the deposition of metal layers by physical vapor deposition (PVD), in such manner that the layers are in stressed states.

摘要（中）：

具有单独应力通道区域的NFET和PFET器件及其制造方法。公开了一种FET，其包括栅极，该栅极包括处于第一应力状态的金属。 FET还包括托管在单晶Si基材料中的沟道区域，该沟道区域被栅极覆盖并处于第二应力状态。沟道区域的第二应力状态与包括在栅极中的金属的第一应力状态相反。 NFET通道通常处于应力的拉伸状态，而PFET通道通常处于应力的压缩状态。制造方法包括通过物理气相沉积（PVD）沉积金属层，使得层处于应力状态。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS