利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20090321713A1 METHOD OF CONTROLLING ACTIVE LAYER OF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
控制III-NITRIDE半导体发光器件的主动层的方法

  • 专利标题： METHOD OF CONTROLLING ACTIVE LAYER OF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
  • 专利标题（中）： 控制III-NITRIDE半导体发光器件的主动层的方法
  • 申请号： US11988495
    申请日： 2005-10-18
  • 公开(公告)号： US20090321713A1
    公开(公告)日： 2009-12-31
  • 发明人: Tae Kyung Yoo , Eun Hyun Park
  • 申请人： Tae Kyung Yoo , Eun Hyun Park
  • 优先权： KR10-2005-0060807 20050706
  • 国际申请： PCT/KR2005/003470 WO 20051018
  • 主分类号： H01L33/00
  • IPC分类号： H01L33/00
METHOD OF CONTROLLING ACTIVE LAYER OF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要：
The present invention is to provide a method for controlling an active layer of a Hi-nitride semiconductor light emitting device by doping a barrier layer(s) selected from the active layer to suppress light emission in a specific well layer(s).
摘要（中）：

本发明提供一种通过掺杂从有源层选择的势垒层来​​抑制特定阱层中的发光来控制氮化镓半导体发光器件的有源层的方法。

信息查询
Global Dossier Espacenet
0/0