SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR

发明申请

US20100001333A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR 有权

标题翻译：半导体器件及其制造方法

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
申请号： US12543404

申请日： 2009-08-18
公开(公告)号： US20100001333A1

公开(公告)日： 2010-01-07
发明人: Masaya Hosaka , Masatomi Okanishi
申请人： Masaya Hosaka , Masatomi Okanishi
主分类号： H01L29/792
IPC分类号： H01L29/792 ; H01L21/336

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR

摘要：

The present invention provides semiconductor device and a fabrication method therefor. The semiconductor device includes trenches (11) formed in a semiconductor substrate (10), first ONO films (18) provided on both side surfaces of the trenches, and first word lines (22) provided on side surfaces of the first ONO films (18) and running in a length direction of the trenches (11). According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor deice and a fabrication method therefor, in which higher memory capacity can be achieved.

摘要（中）：

本发明提供半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底（10）中的沟槽（11），设置在沟槽的两个侧表面上的第一ONO膜（18）和设置在第一ONO膜（18）的侧表面上的第一字线）并在沟槽（11）的长度方向上运行。根据本发明，可以提供一种半导体器件及其制造方法，其中可以实现更高的存储容量。

公开/授权文献

US07915661B2 Semiconductor device and fabrication method therefor 公开/授权日：2011-03-29

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/792	......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管