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发明申请
US20100009467A1 Novel magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current 有权
新型磁隧道结（MTJ）降低自旋转移磁化开关电流

  • 专利标题： Novel magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current
  • 专利标题（中）： 新型磁隧道结（MTJ）降低自旋转移磁化开关电流
  • 申请号： US12584971
    申请日： 2009-09-15
  • 公开(公告)号： US20100009467A1
    公开(公告)日： 2010-01-14
  • 发明人: Cheng T. Horng , Ru-Ying Tong
  • 申请人： Cheng T. Horng , Ru-Ying Tong
  • 主分类号： H01L43/12
  • IPC分类号： H01L43/12
Novel magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current
摘要：
A MTJ that minimizes spin-transfer magnetization switching current (Jc) in a Spin-RAM to
摘要（中）：

公开了将旋转RAM中的自旋转移磁化开关电流（Jc）最小化为<1×10 6 A / cm 2的MTJ。 MTJ具有Co60Fe20B20 / MgO / Co60Fe20B20配置，其中CoFeB AP1钉扎和自由层是无定形的，并且通过ROX或NOX工艺形成结晶MgO隧道势垒。 覆盖层优选为Hf / Ru复合材料，其中下部Hf层用作优异的吸氧材料，以减少自由层/覆盖层界面处的磁性“死层”，从而增加dR / R，并降低He和Jc 。 退火温度降低至约280℃，以产生比350℃退火更平滑的CoFeB / MgO界面和较小的偏移场。 在第二实施例中，AP1层具有CoFeB / CoFe构型，其中下CoFeB层是无定形的，并且上CoFe层是结晶的，以进一步改善dR / R，并将RA降低至<10欧姆/ m 2。

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