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发明申请
US20100051892A1 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
非易失性半导体存储器及其制造方法

  • 专利标题： NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
  • 专利标题（中）： 非易失性半导体存储器及其制造方法
  • 申请号： US12446964
    申请日： 2007-10-22
  • 公开(公告)号： US20100051892A1
    公开(公告)日： 2010-03-04
  • 发明人: Takumi Mikawa , Takeshi Takagi
  • 申请人： Takumi Mikawa , Takeshi Takagi
  • 优先权： JP2006-288577 20061024
  • 国际申请： PCT/JP2007/070546 WO 20071022
  • 主分类号： H01L47/00
  • IPC分类号： H01L47/00 ;  H01L21/16
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要：
A nonvolatile semiconductor memory apparatus (10) of the present invention comprises a semiconductor substrate (11), an active element forming region provided on the semiconductor substrate (11) and including a plurality of active elements (12), a wire forming region which is provided on the active element forming region to electrically connect the active elements (12) and includes plural layers of semiconductor electrode wires (15, 16), a memory portion forming region (100) which is provided above the wire forming region and provided with memory portions (26) arranged in matrix, a resistance value of each of the memory portions changing according to electric pulses applied, and an oxygen barrier layer (17) which is provided between the memory portion forming region (100) and the wire forming region so as to extend continuously over at least an entire of the memory portion forming region (100).
摘要（中）：

本发明的非易失性半导体存储器件（10）包括半导体衬底（11），设置在半导体衬底（11）上并包括多个有源元件（12）的有源元件形成区域， 设置在有源元件形成区域上以电连接有源元件（12）并且包括多层半导体电极线（15,16），存储部形成区域（100），其设置在线形成区域的上方并设置有存储器 布置成矩阵的部分（26），每个存储部分的电阻值根据施加的电脉冲而变化，以及设置在存储部分形成区域（100）和线形成区域之间的氧阻挡层（17），从而 以在至少整个存储部分形成区域（100）上连续地延伸。

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