- 专利标题： SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL COMPOSITE
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申请号： US12487412申请日： 2009-06-18
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公开(公告)号： US20100155744A1公开(公告)日： 2010-06-24
- 发明人: Hyo Sook JANG , Young Hwan KIM , Eun Joo JANG , Shin Ae JUN
- 申请人： Hyo Sook JANG , Young Hwan KIM , Eun Joo JANG , Shin Ae JUN
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2008-0130918 20081222
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; B32B27/32 ; B32B27/36 ; B32B27/34 ; B32B27/30 ; B32B27/00 ; B32B5/00 ; B32B5/16
摘要：
A nanocrystal composite that includes a matrix including semiconductor nanocrystals, and a barrier layer disposed on at least a portion of the surface of the matrix and including a polymer with low oxygen permeability, low moisture permeability, or both.
公开/授权文献
- US08427855B2 Semiconductor nanocrystal composite 公开/授权日：2013-04-23
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