发明申请
- 专利标题： METHOD FOR INTEGRATION OF REPLACEMENT GATE IN CMOS FLOW
- 专利标题（中）： 用于在CMOS流中整合替换门的方法
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申请号： US12647074申请日： 2009-12-24
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公开(公告)号： US20100164008A1公开(公告)日： 2010-07-01
- 发明人: Freidoon Mehrad , James J. Chambers , Shaofeng Yu
- 申请人： Freidoon Mehrad , James J. Chambers , Shaofeng Yu
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/8238
摘要：
Semiconductor devices and fabrication methods are provided, in which metal transistor replacement gates are provided for CMOS transistors. The process provides dual or differentiated work function capability (e.g., for PMOS and NMOS transistors) in CMOS processes.
公开/授权文献
- US08062966B2 Method for integration of replacement gate in CMOS flow 公开/授权日：2011-11-22
信息查询
IPC分类:
