METHODS FORMING HIGH DIELECTRIC TARGET LAYER

Invention Application

US20100167554A1 METHODS FORMING HIGH DIELECTRIC TARGET LAYER 有权

Title translation: 形成高介电目标层的方法

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Patent Title: METHODS FORMING HIGH DIELECTRIC TARGET LAYER
Patent Title (中): 形成高介电目标层的方法
Application No.: US12648377

Application Date: 2009-12-29
Publication No.: US20100167554A1

Publication Date: 2010-07-01
Inventor: Jong-Cheol LEE , Ki-Yeon PARK , Jun-Noh LEE
Applicant: Jong-Cheol LEE , Ki-Yeon PARK , Jun-Noh LEE
Applicant Address: KR Suwon-si
Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee Address: KR Suwon-si
Priority: KR10-2008-0136505 20081230
Main IPC: H01L21/469
IPC: H01L21/469

METHODS FORMING HIGH DIELECTRIC TARGET LAYER

Abstract:

In a method of forming a target layer having a uniform composition of constituent materials, a first precursor including a first central atom and a ligand is chemisorbed on a first reaction site of an object. The ligand or the first central atom is then removed to form a second reaction site. A second precursor including a second central atom is then chemisorbed on the second reaction site.

Abstract(Chinese):

在形成具有均匀构成材料组成的目标层的方法中，包括第一中心原子和配体的第一前体在物体的第一反应位置被化学吸附。然后除去配体或第一中心原子以形成第二反应位点。包括第二中心原子的第二前体然后在第二反应位点被化学吸附。

Public/Granted literature

US08361551B2 Methods forming high dielectric target layer Public/Granted day:2013-01-29

Information query

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469	......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理