METHOD FOR ETCHING A LAYER ON A SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

发明申请

US20100203739A1 METHOD FOR ETCHING A LAYER ON A SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权

标题翻译：在硅半导体衬底上蚀刻层的方法

请登陆查看更多内容

专利标题： METHOD FOR ETCHING A LAYER ON A SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
专利标题（中）： 在硅半导体衬底上蚀刻层的方法
申请号： US12452692

申请日： 2008-07-02
公开(公告)号： US20100203739A1

公开(公告)日： 2010-08-12
发明人: Volker Becker , Franz Laermer , Tino Fuchs , Christina Leinenbach
申请人： Volker Becker , Franz Laermer , Tino Fuchs , Christina Leinenbach
优先权： DE102007033685.5 20070719
国际申请： PCT/EP2008/058539 WO 20080702
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; C23F1/08

METHOD FOR ETCHING A LAYER ON A SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要：

A method for selective etching of an SiGe mixed semiconductor layer on a silicon semiconductor substrate by dry chemical etching of the SiGe mixed semiconductor layer with the aid of an etching gas selected from the group including ClF3 and/or ClF5, a gas selected from the group including Cl2 and/or HCl being added to the etching gas.

摘要（中）：

借助于选自ClF3和/或ClF5的蚀刻气体，通过SiGe混合半导体层的干法化学蚀刻来选择性地蚀刻硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层的方法，包括添加到蚀刻气体中的Cl 2和/或HCl。

公开/授权文献

US08946090B2 Method for etching a layer on a silicon semiconductor substrate 公开/授权日：2015-02-03

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）