Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same

发明申请

US20100207185A1 Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same 有权

标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法

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专利标题： Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same
专利标题（中）： 非易失性存储器件及其制造方法
申请号： US12704365

申请日： 2010-02-11
公开(公告)号： US20100207185A1

公开(公告)日： 2010-08-19
发明人: Sunwoo Lee , Sangwoo Lee , Changwon Lee , Jeonggil Lee
申请人： Sunwoo Lee , Sangwoo Lee , Changwon Lee , Jeonggil Lee
优先权： KR10-2009-0012495 20090216
主分类号： H01L29/792
IPC分类号： H01L29/792

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same

摘要：

A nonvolatile memory device includes gate electrodes three dimensionally arranged on a semiconductor substrate, a semiconductor pattern extending from the semiconductor substrate and crossing sidewalls of the gate electrodes, a metal liner pattern formed between the semiconductor pattern and formed on a top surface and a bottom surface of each of the gate electrodes, and a charge storage layer formed between the semiconductor pattern and the metal liner pattern.

摘要（中）：

非易失性存储器件包括三维地布置在半导体衬底上的栅电极，从半导体衬底延伸并与栅电极的侧壁交叉的半导体图案，形成在半导体图案之间并形成在顶表面和底表面上的金属衬垫图案以及形成在半导体图案和金属衬垫图案之间的电荷存储层。

公开/授权文献

US08324677B2 Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same 公开/授权日：2012-12-04

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/792	......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管