SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELECTIVELY DEPOSITED TUNGSTEN FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME

发明申请

US20100276764A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELECTIVELY DEPOSITED TUNGSTEN FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开

标题翻译：具有选择性沉积的薄膜的半导体结构及其制造方法

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专利标题： SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELECTIVELY DEPOSITED TUNGSTEN FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME
专利标题（中）： 具有选择性沉积的薄膜的半导体结构及其制造方法
申请号： US12434688

申请日： 2009-05-04
公开(公告)号： US20100276764A1

公开(公告)日： 2010-11-04
发明人: Yi-Jen Lo , Yu-Shan Chiu , Kuo-Hui Su , Chiang-Hung Lin
申请人： Yi-Jen Lo , Yu-Shan Chiu , Kuo-Hui Su , Chiang-Hung Lin
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELECTIVELY DEPOSITED TUNGSTEN FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME

摘要：

A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure includes a substrate; a dielectric layer overlying the substrate; a conductor pattern on a main surface of the dielectric layer, the conductor pattern having a top surface and sidewalls; and a conformal metal layer selectively deposited on the top surface and sidewalls, but without deposited on the main surface of the dielectric layer substantially.

摘要（中）：

提供半导体结构。半导体结构包括基板; 覆盖衬底的电介质层; 电介质层的主表面上的导体图案，导体图案具有顶表面和侧壁; 以及保形金属层，其选择性地沉积在顶表面和侧壁上，但基本上不沉积在介电层的主表面上。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的