发明申请
- 专利标题： METHODS OF FORMING LAYERS OF ALPHA-TANTALUM
- 专利标题（中）： 形成ALPHA-TANTALUM层的方法
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申请号： US12492206申请日： 2009-06-26
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公开(公告)号： US20100330800A1公开(公告)日： 2010-12-30
- 发明人: Ivan Petrov Ivanov , Wei Tian , Mallika Kamarajugadda , Paul E. Anderson
- 申请人： Ivan Petrov Ivanov , Wei Tian , Mallika Kamarajugadda , Paul E. Anderson
- 申请人地址： US CA Scotts Valley
- 专利权人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC
- 当前专利权人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC
- 当前专利权人地址： US CA Scotts Valley
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; B05D1/36 ; C23C14/24 ; C23C16/50 ; C23C16/515 ; C23C14/34 ; C23C14/38
摘要：
A method of forming a layer of alpha-tantalum on a substrate including the steps of depositing a layer of titanium nitride on a substrate; and depositing a layer of alpha-tantalum on the layer of titanium nitride, wherein the deposition of the alpha-tantalum is carried out at temperatures below about 300° C.
公开/授权文献
- US08039394B2 Methods of forming layers of alpha-tantalum 公开/授权日：2011-10-18
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